Ашкинази, Л. "Динозавры" двадцатого века : Прошлое и настоящее радиоламп / Л. Ашкинази> // Наука и жизнь. - 2004. - N 6. - С. . 66-69. - Продолж. следует Рубрики: Техника--История техники, 19 в. кон. США Соединенные Штаты Америки Кл.слова (ненормированные): анодный ток -- вакуум -- диод -- изобретатели -- изобретения -- радиолампы -- радиоэлектроника -- триод -- электронные лампы |
Новгородская, Татьяна. Свети, диод! / Татьяна Новгородская, Надежда Снимщикова> // Техника-молодежи. - 2006. - N 8. - С. . 10-13 Рубрики: Энергетика--Светотехника Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- освещение -- лампы накаливания -- полупроводниковые технологии -- LED-технологии Доп.точки доступа: Снимщикова, Надежда |
Виноградов, Ю. ИК лазерный диод в устройствах охранной сигнализации [Текст] / Ю. Виноградов> // Радио. - 2008. - N 6. - С. 34-35 : 4 рис., 1 табл. . - ISSN 0033-765X Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): SV5637-001 -- диоды -- ИК генераторы -- ИК излучение -- лазерные диоды -- линии связи -- оптические датчики -- охранная сигнализация -- охранные системы -- печатные платы -- платы печатные -- принципиальные схемы -- схемы принципиальные Аннотация: Появившиеся на нашем рынке относительно недорогие инфракрасные (ИК) лазерные диоды со встроенной оптической системой, формирующей узкий луч, могут быть использованы в оптических датчиках и в линиях связи охранных систем. Один из таких лазерных диодов - SV5637-001. |
Прудаев, И. А. Влияние толщины базы лавинного S-диода на его обратную вольт-амперную характеристику [Текст] / И. А. Прудаев, С. С. Хлудков> // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 2. - С. 48-53. - Библиогр.: c. 53 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Техника Обработка материалов Технология металлов Металловедение цветных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): S-диод -- арсенид галлия -- вольт-амперная характеристика -- лавинный пробой Аннотация: Исследовано влияние толщины базы диффузионного лавинного S-диода на его обратную вольт-амперную характеристику (ВАХ) и напряжение переключения. Доп.точки доступа: Хлудков, С. С. |
Влияние обработки в парах селена на дефекты приповерхностной области арсенида галия [Текст] / Н. Н. Безрядин [и др. ]> // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 4. - С. 72-76. - Библиогр.: c. 76 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): GaAs -- арсенид галлия -- диод Шоттки -- метод вольт-амперных характеристик -- метод вольт-фарадных характеристик -- поверхностно-электронные состояния -- приповерхностная область арсенида галлия -- селен -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- Шоттки диод Аннотация: Методами вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик, изотермической релаксации емкости в диапазоне температур 77-400 К исследовалось влияние обработки поверхности GaAs в парах селена на параметры электронных состояний приповерхностной области GaAs. Результаты электрофизических измерений барьеров Шоттки, полученных на обработанной в селене поверхности GaAs, указывают на снижение плотности поверхностных электронных состояний (ПЭС) и открепление уровня Ферми. При этом происходит генерация дефектов в приповерхностной области, вызывающих компенсацию мелких доноров и характерное для некоторых структур ''перезакрепление'' уровня Ферми. Доп.точки доступа: Безрядин, Н. Н.; Котов, Г. И.; Власов, Ю. Н.; Стародубцев, А. А.; Bhatmager, Р. К.; Mathur, Р. С. |
Дунаевский, Г. Е. Анализ и синтез варакторных удвоителей частоты. [Текст]. Ч. 1. Основные соотношения / Г. Е. Дунаевский, В. И. Перфильев> // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С. 46-52. - Библиогр.: 52 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Радиоэлектроника Импульсные устройства Кл.слова (ненормированные): варакторные удвоители частоты -- диод Шоттки -- диодные удвоители частоты -- Шоттки диод -- электромагнитные колебания Аннотация: Рассмотрены основные режимы работы варакторных удвоителей частоты миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Получена замкнутая система соотношений и связей, позволяющая провести их полный анализ и синтез. Доп.точки доступа: Перфильев, В. И. |
Дунаевский, Г. Е. Анализ и синтез варакторных удвоителей частоты. [Текст]. Ч. 1. Основные соотношения / Г. Е. Дунаевский, В. И. Перфильев> // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С. 46-52. - Библиогр.: 52 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Радиоэлектроника Импульсные устройства Кл.слова (ненормированные): варакторные удвоители частоты -- диод Шоттки -- диодные удвоители частоты -- Шоттки диод -- электромагнитные колебания Аннотация: Рассмотрены основные режимы работы варакторных удвоителей частоты миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Получена замкнутая система соотношений и связей, позволяющая провести их полный анализ и синтез. Доп.точки доступа: Перфильев, В. И. |
Диод из одной молекулы [Текст]> // Знание-сила. - 2010. - N 2. - С. 15 . - ISSN 0130-1640 Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): молекулы -- электроды -- диоды -- углеводороды Аннотация: Международный коллектив физиков создал диод, состоящий из одной молекулы. |
Рюмик, С. Программирование микроконтроллеров АТ89S51 и АТ89S52 [Текст] / С. Рюмик ; ред. и граф. А. Долгий> // Радио. - 2009. - N 7. - С. 26-28 : 2 схем., 3 рис. - Библиогр.: с. 26 (5 назв. ) Рубрики: Вычислительная техника Блоки обработки данных Кл.слова (ненормированные): микроконтроллеры -- программаторы -- программирование -- диод Шотки -- Шотки диод -- схемы Аннотация: В статье предложена схема для программирования микроконтроллеров АТ89S51/52. Доп.точки доступа: Долгий, А. \, .\ |
Федоров, Владимир Сергеевич (аспирант). Дискурсивное сообщение как средство коммуникации профессионального сообщества [Текст] / В. С. Федоров> // Вестник Московского университета. Сер. 7, Философия. - 2012. - № 5. - С. 70-85 : рис. - Библиогр.: с. 85 . - ISSN 0201-7385 Рубрики: Философия Общие вопросы философии Культурология Теоретическая культурология Кл.слова (ненормированные): дискурсивное сообщение -- средства коммуникации -- профессиональные сообщества -- текст -- анализ -- катализаторные функции -- семантика -- информация -- научная коммуникация -- диод Шоттки и p-n переход -- Шоттки диод и p-n переход Аннотация: Исследуются особенности дискурсивных сообщений. Анализируется роль автора и читателя по отношению к данным сообщениям, рассматривается их взаимодействие в рамках литературного произведения. Выявляются проблемы восприятия читателем научных статей в контексте разработки им результатов, представленных в сообщении. |
Исследование свойств электромагнитных волн в демонстрационном эксперименте с использованием генератора на диоде Ганна [Текст] / Г. А. Бутырский [и др.]> // Физика - Первое сентября. - 2014. - № 7/8. - С. 23-26 : 16 ил. - Библиогр.: с. 26 (6 назв.). - Дополнительный материал см. в Личном кабинете
Рубрики: Образование. Педагогика Методика преподавания учебных предметов Кл.слова (ненормированные): Ганна диод -- СВЧ-генераторы -- демонстрационные эксперименты -- диод Ганна -- дифракция радиоволн -- интерференция радиоволн -- материалы в помощь учителю физики -- методика преподавания физики -- отражение -- преломление -- радиоволны сантиметрового диапозона -- физические эксперименты -- эксперименты по физике Аннотация: Показана возможность расширения технических и дидатических функций комплекта оборудования на базе СВЧ-генератора при изучении темы "Электромагнитные волны". Доп.точки доступа: Бутырский, Г. А.; Пономарев, К. А.; Лютина, С. Н.; Ветлужских, А. И. |
Латухина, Н. В. (кандидат технических наук; доцент). Физические основы нанотехнологий [Текст] / Н. В. Латухина> // Физика - Первое сентября. - 2014. - № 11. - С. 54-60 : 18 ил. - Библиогр.: с. 60 (9 назв.). - Дополнительный материал см. в Личном кабинете
Рубрики: Образование. Педагогика Методика преподавания учебных предметов Кл.слова (ненормированные): баллистическая проводимость -- лазеры -- наногетероструктурные солнечные элементы -- наноразмерные структуры -- нанотехнологии -- наноэлектроника -- резонансный туннельный диод -- спинотроника Аннотация: Доступно изложены основные физические принципы и эффекты, лежащие в основе работы наноустройств. |