Нудельман, Рафаил. Достижения и перспективы [Текст] / Р. Нудельман // Знание-сила. - 2008. - N 6. - С. 54-61 . - ISSN 0130-1640 Рубрики: Наука. Науковедение Биология Общая цитология Антропология Общие вопросы науки Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): антропогенетика -- геномика -- геном человека -- внегенные факторы -- снипсы -- стволовые клетки -- плюрипотентные стволовые клетки -- рецепторы кожи -- окислы переходных металлов -- сверхпроводники Аннотация: О достижениях науки в 2007 году и перспективах на 2008 год. |
Кинетика релаксации фотопроводимости в кремнии р-типа, компенсированном атомами фосфора [Текст] / М. Каримов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 9-12. - Библиогр.: c. 12 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Физика Теоретическая физика Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): глубокоуровневые центры -- иридий -- кинетика фотопроводимости -- компенсирование (физика) -- компенсирующие центры (физика) -- кремний -- легирование -- микронеоднородность кремния -- нейтронно-легированный кремний -- постоянная времен релаксации основных носителей заряда -- радиационный дефект -- термоотжиг радиационных дефектов -- фосфор -- фотопроводимость кремния Аннотация: Обсуждается кинетика релаксации Фотопроводимости нейтронно-легированного кремния (НЛК) р-типа. Обнаружено, что в компенсированном p-Si<В, Р> и контрольном p-Si<В> релаксационный процесс происходит различным образом. Различие объясняется на базе представлений о разной степени микронеоднородности по проводимости материала. Для определения термоотжига структурных дефектов предлагается метод, основанный на изучении зависимости подвижности носителей заряда от времени отжига. Доп.точки доступа: Каримов, М.; Махкамов, Ш.; Турсунов, Н. А.; Махмудов, Ш. А.; Бегматов, К. А.; Караходжаев, А. К.; Садиков, А. Х. |
Время жизни носителей заряда в высокохромном GaAs, легированном диффузией хрома [Текст] / Д. Л. Будницкий [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 5. - С. 84-88. - Библиогр.: с. 87-88 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Проводниковые материалы и изделия Физика полупроводников и диэлектриков Физика Энергетика Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- диффузия хрома -- носители заряда -- полупроводники -- приемники ионизирующего излучения -- фотопроводимость монокристаллов -- фотоэлектрические свойства материалов Аннотация: Использование высокоомного (ВО) GaAs для формирования прием ников ионизирующих излучений стимулирует исследования его физических свойств. Изучение фотоэлектрических свойств позволяет установить механизмы рекомбинации носителей заряда и особенности их транспорта в электрических полях, оценить времена жизни. В работе представлены результаты исследований Фотопроводимости и фотоэффекта Холла в высокоомном GaAs, легированном диффузией хрома. Установлено, что типичная люкс-амперная характеристика (ЛАХ) состоит из сверхлинейного и сублинейного участков. Изучено изменение холловской подвижности при освещении. Сделан ряд упрощений и оценены времена жизни электронов (тау n) и дырок (тау p) для высокого и низкого уровней возбуждения. Установлено, что тау p > тау n. Показано, что фотоэлектрические свойства ВО GaAs: Cr могут быть объяснены с помощью модели "искривленных" зон. Высказано предположение о трансформации потенциальных барьеров при фотовозбуждении. Доп.точки доступа: Будницкий, Д. Л.; Новиков, В. А.; Толбанов, О. П.; Прудаев, Д. А. |
Войцеховский, А. В. Исследование методами проводимости и фотоэдс МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С. 3-18. - Библиогр.: c. 18 (28 назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- дифференциальное сопротивление -- диэлектрики -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод проводимости -- МЛЭ -- полупроводники -- пространственный заряд в МДП-структурах -- теллурид кадмия ртути Аннотация: Исследовано влияние варизонных слоев на величину дифференциального сопротивления области пространственного заряда в МДП-структурах на основе HgCdTe МЛЭ. Показано, что учет влияния сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемые емкость и сопротивление необходим для корректного определения параметров области пространственного заряда. Наличие приповерхностных слоев с повышенным содержанием Сd приводит к увеличению сопротивления области пространственного заряда в сильной инверсии. Несмотря на подавление туннельной генерации-рекомбинации через глубокие уровни в МДП-структурах с варизонными слоями, получены значения произведения сопротивления полупроводника на площадь порядка 15 Ом. см[2], что может быть связано с фоновой фотогенерацией и диффузией неосновных носителей. Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. |
Моисеев, А. Г. Оценка области применения метода теории возмущений для решения кинетического уравнения Больцмана при расчете времени релаксации носителей заряда в изотропном поликристаллическом кремнии р-типа [Текст] / А. Г. Моисеев // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С. 19-26. - Библиогр.: c. 26 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): Больцмана уравнение -- время релаксации (физика) -- изотропный поликристаллический кремний р-типа -- кинетическое уравнение Больцмана -- метод теории возмущений -- носители заряда -- поликристаллы Аннотация: Сформулировано условие применения метода теории возмущений для решения кинетического уравнения Больцмана при расчете времени релаксации носителей заряда в изотропном поликристалле кремния, когда рассеяние дырок происходит как на неупорядоченной системе потенциальных барьеров на поверхностях кристаллитов, так и на неупорядоченной сетке атомов кремния, характеризуемой наличием локального порядка. Проведена оценка результирующего удельного сопротивления изотропного поликристаллического кремния р-типа. |