Библиотека АГГПУ

Главная

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

Каталог статей- результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг

Труды преподавателей

Каталог периодических изданий

Каталог редких книг

Каталог статей

IPRbooks периодика

IPRbooks книги

Межвузовская электронная библиотека

ФЭРУ

Область поиска

Найдено в других БД:

IPRbooks книги (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: <.>K=квантовая яма<.>

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Ольшанецкий, Е. Б.
Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGAaS/gAaS И Si/SiGe / Е. Б. Ольшанецкий [и др. ] // Успехи физических наук. - 2006. - Т. 176, N 2. - С. . 222-227. - Библиогр.: с. 227 (16 назв. ). - ил.: 6 рис.

ГРНТИ

29. 19. 24

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
сессии -- двумерные электроны -- гетеропереходы -- квантовая яма -- проводимость -- квантовые поправки

Доп.точки доступа:
Ренар, В.; Квон, З. Д.; Горный, И. В.; Торопов, А. И.; Портал, Ж. К.
Найти похожие

Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) [Текст] / Е. А. Емельянов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 3. - С. 68-72 : рис. - Библиогр.: c. 72 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
буферные слои -- квантовая яма -- кристаллическое совершенство -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- подложечный материал -- полярные полупроводники -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены квантовые ямы (КЯ) InGaAs/GaAs на искусственной подложке GaAs/Si, отклоненной от плоскости (001) на 6° в направлении. Проведена оптимизация технологии выращивания искусственных подложек GaAs/Si. Критериями оптимизации были выбраны кристаллическое совершенство эпитаксиальных пленок и морфология их поверхности. Выращены искусственные подложки с разной кристаллографической ориентацией буферного слоя GaAs относительно направления отклонения поверхности Si. Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) и рентгеновской дифрактометрии исследовано влияние способа зарождения и режимов роста слоев GaAs/Si на их кристаллическое совершенство. Морфология поверхности эпитаксиальных слоев исследовалась методом ДБЭО (in situ) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) (ex situ). Обнаружено, что оптимальными по кристаллическому совершенству и морфологии поверхности являются переходные слои, полученные с использованием буферного слоя 250 нм GaAs/ 2. 7 нм GaP (001) /Si. Данный слой использован для выращивания КЯ и объёмных слоёв. Получены данные спектра фотолюминесценции при 5 и 77 К для данных структур.

Доп.точки доступа:
Емельянов, Е. А.; Коханенко, А. П.; Пчеляков, О. П.; Абрамкин, Д. С.; Василенко, А. П.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Преображенский, В. В.; Феклин, Д. Ф.
Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)