Кинетика релаксации фотопроводимости в кремнии р-типа, компенсированном атомами фосфора [Текст] / М. Каримов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 9-12. - Библиогр.: c. 12 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Физика Теоретическая физика Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): глубокоуровневые центры -- иридий -- кинетика фотопроводимости -- компенсирование (физика) -- компенсирующие центры (физика) -- кремний -- легирование -- микронеоднородность кремния -- нейтронно-легированный кремний -- постоянная времен релаксации основных носителей заряда -- радиационный дефект -- термоотжиг радиационных дефектов -- фосфор -- фотопроводимость кремния Аннотация: Обсуждается кинетика релаксации Фотопроводимости нейтронно-легированного кремния (НЛК) р-типа. Обнаружено, что в компенсированном p-Si<В, Р> и контрольном p-Si<В> релаксационный процесс происходит различным образом. Различие объясняется на базе представлений о разной степени микронеоднородности по проводимости материала. Для определения термоотжига структурных дефектов предлагается метод, основанный на изучении зависимости подвижности носителей заряда от времени отжига. Доп.точки доступа: Каримов, М.; Махкамов, Ш.; Турсунов, Н. А.; Махмудов, Ш. А.; Бегматов, К. А.; Караходжаев, А. К.; Садиков, А. Х. |