Морфология поверхности эпитаксиальных пленок Pb[1-x] Eu[x]Se после плазменной обработки [Текст] / С. П. Зимин [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 11. - С. 90-93. - Библиогр.: с. 93 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): морфология поверхности -- эпитаксиальные пленки -- плазменная обработка Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности эпитаксиальных пленок Pb[1-x]Eu[x]Se на подложках CaF[2]/Si (111) в исходном состоянии и после обработки в высокоплотной индуктивной Ar-плазме в различных режимах. Показано, что пронизывающие дислокации служат остовом для формирования крупных выступов в ходе распыления полупроводникового материала. Обнаружено влияние режимов обработки на геометрические параметры крупных выступов и характеристики окружающего нанорельефа. Доп.точки доступа: Зимин, С. П.; Горлачев, С. Е.; Герке, М. Н.; Куртовская, С. В.; Амиров, И. И. |
Оценка возможности определения электрофизических характеристик Cd[x]Hg[1-x]Te р{+} -п-структур методом дифференциальных холловских измерений [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 3-8. - Библиогр.: c. (назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): CdxHg1-xTe -- имплантация ионов -- матричные фотоприемники -- электрофизические характеристики -- эпитаксиальные пленки Аннотация: В работе проведено численное моделирование процесса восстановления профиля распределения концентрации дырок в р{+}-п-структуре методом дифференциальных холловских измерений после имплантации ионов As{+} (Е = 190 кэВ, D = З 10{14}см{2}, j = 0, 025 мкА/см{2}) в эпитаксиальные пленки Cd[x]Hg[1-x]Te для х ~ 0, 2, с исходной концентрацией и подвижностью электронов n = 10{14}см{-3} и мю = 2 10{5} см{2} B{-1} c{-1}. Рассчитаны зависимости степени восстановления профиля распределения концентрации дырок от толщины шунтирующего п-слоя и величины магнитного поля, при котором производится измерение электрофизических параметров р{+} -n-структуры. Определена зависимость от толщины n-слоя предельного магнитного поля, определяющего диапазон магнитных полей для измерений. Показано, что при определении профиля распределения концентрации дырок по модели Петрица в расчетах необходимо использовать значения проводимости, измеренные при тех же магнитных полях, что и коэффициент Холла. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Васильев, В. В.; Григорьев, Д. В.; Романов, И. В. |
Структура и магнитные свойства пленок кобальта на Si (111) и Si (001) [Текст] / Л. А. Чеботкевич [и др. ] // Физика металлов и металловедение. - 2010. - Т. 109, N 6. - С. 644-649. - Библиогр.: с. 649 (11назв. ) . - ISSN 0015-3230 Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Кл.слова (ненормированные): кобальт -- Si (111) -- Si (001) -- магнитные свойства -- монокристаллические подложки -- магнитокристаллическая анизотропия -- эпитаксиальные пленки -- анизотропия Аннотация: На монокристаллических подложках Si (111) и Si (001) были выращены эпитаксиальные пленки Со. Методом дифракции быстрых электронов определены структура и постоянная решетки пленок Со. Исследована доменная структура эпитаксиальных пленок Со, установлено наличие магнитокристаллической анизотропии и анизотропии, наведенной ступенями подложки. Показано, что коэрцитивная сила эпитаксиальных пленок Со обусловлена шероховатостями поверхности и дислокациями несоответствия. Доп.точки доступа: Чеботкевич, Л. А.; Ермаков, К. С.; Балашев, В. В.; Давыденко, А. В.; Иванов, Ю. П.; Огнев, А. В. |
Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) [Текст] / Е. А. Емельянов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 3. - С. 68-72 : рис. - Библиогр.: c. 72 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): буферные слои -- квантовая яма -- кристаллическое совершенство -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- подложечный материал -- полярные полупроводники -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены квантовые ямы (КЯ) InGaAs/GaAs на искусственной подложке GaAs/Si, отклоненной от плоскости (001) на 6° в направлении. Проведена оптимизация технологии выращивания искусственных подложек GaAs/Si. Критериями оптимизации были выбраны кристаллическое совершенство эпитаксиальных пленок и морфология их поверхности. Выращены искусственные подложки с разной кристаллографической ориентацией буферного слоя GaAs относительно направления отклонения поверхности Si. Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) и рентгеновской дифрактометрии исследовано влияние способа зарождения и режимов роста слоев GaAs/Si на их кристаллическое совершенство. Морфология поверхности эпитаксиальных слоев исследовалась методом ДБЭО (in situ) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) (ex situ). Обнаружено, что оптимальными по кристаллическому совершенству и морфологии поверхности являются переходные слои, полученные с использованием буферного слоя 250 нм GaAs/ 2. 7 нм GaP (001) /Si. Данный слой использован для выращивания КЯ и объёмных слоёв. Получены данные спектра фотолюминесценции при 5 и 77 К для данных структур. Доп.точки доступа: Емельянов, Е. А.; Коханенко, А. П.; Пчеляков, О. П.; Абрамкин, Д. С.; Василенко, А. П.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Преображенский, В. В.; Феклин, Д. Ф. |