Исследование временных характеристик фотодетекторов на основе наногетероструктур Ge/Si 1 [Текст] / В. А. Донченко [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 5. - С. 64-67. - Библиогр.: c. 67 (2 назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): наногетероструктуры Ge/Si -- фотодетекторы -- фотоотклик -- фотоприемники -- фотосопротивления Аннотация: Приводятся результаты исследования временных характеристик фоточувствительных слоев на базе наногетероструктур Ge/Si при возбуждении фемтосекундными импульсами лазера на длине волны 1, 55 мкм. Показано, что длительность переднего фронта импульсов фотооткликов исследуемых образцов не более 30-40 пс при возбуждении лазерными импульсами длительностью 120 фс. Доп.точки доступа: Донченко, В. А.; Якимов, А. И.; Землянов, А. А.; Кириенко, В. В. |