Памяти Александра Леонидовича Суворова // Успехи физических наук. - 2006. - Т. 176, N 4. - С. . 455-456. - ил.: 1 фот.
Рубрики: Физика--История физики Кл.слова (ненормированные): персоналии -- физика -- ученые -- физика твердого тела -- радиационные дефекты -- облучение -- автоионная микроскопия |
Радиационные дефекты и водород в аустенитной и аустенитно-мартенситной сталях при низкотемпературном нейтронном облучении [Текст] / В. Л. Арбузов [и др. ] // Физика металлов и металловедение. - 2010. - Т. 109, N 3. - С. 326-335. - Библиогр.: с. 335 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3230 Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Кл.слова (ненормированные): дефекты -- радиационные дефекты -- водород -- сталь -- аустенитная сталь -- 16Cr15Ni3Mo1Ti -- аустенитно-мартенситная сталь -- 16Cr9Ni3Mо -- нейтронное облучение -- мартенситная фаза -- низкотемпературное облучение -- радиогенный гелий Аннотация: Представлены экспериментальные результаты о влиянии водорода (300 ат. ppm), радиогенного гелия и низкотемпературного нейтронного облучения (77 К) на свойства перспективных сталей: аустенитной 16Cr15Ni3Mo1Ti и аустенитно-мартенситной 16Cr9Ni3Mо. Обнаружено, что насыщение водородом приводит к увеличению предела текучести, причем в мартенситной фазе он возрастает больше, чем в аустенитной. Доп.точки доступа: Арбузов, В. Л.; Гощицкий, Б. Н.; Данилов, С. Е.; Зуев, Ю. Н.; Карькин, А. Е.; Сагарадзе, В. В. |
Талипов, Н. Х. Влияние состава варизонного слоя на формирование п [Текст] / Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 3. - С. 54-67 : рис., табл. - Библиогр.: c. 66-67 (35 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Кабельные изделия Кл.слова (ненормированные): варизонные структуры -- гетероэпитаксиальные слои -- ионная имплантация -- ионная имплантация бора -- радиационные дефекты -- фотодиодные структуры -- фотодиоды Аннотация: Исследованы процессы формирования n +-n --р-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях (ГЭС) Cd_xHg_ (1-x) Te p-типа (КРТ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (ГЭС КРТ МЛЭ) с различным составом верхнего варизонного слоя. Показано, что состав поверхности (x[s]) ГЭС КРТ МЛЭ существенно влияет как на электрофизические параметры имплантированного слоя, так и на пространственное распределение радиационных дефектов донорного типа. Обнаружен эффект снижения слоевой концентрации электронов (N[s]) после ее насыщения с накоплением радиационных дефектов при росте дозы ионов B{+} в интервале D = 1·10 Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В. |