Влияние обработки в парах селена на дефекты приповерхностной области арсенида галия [Текст] / Н. Н. Безрядин [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 4. - С. 72-76. - Библиогр.: c. 76 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): GaAs -- арсенид галлия -- диод Шоттки -- метод вольт-амперных характеристик -- метод вольт-фарадных характеристик -- поверхностно-электронные состояния -- приповерхностная область арсенида галлия -- селен -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- Шоттки диод Аннотация: Методами вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик, изотермической релаксации емкости в диапазоне температур 77-400 К исследовалось влияние обработки поверхности GaAs в парах селена на параметры электронных состояний приповерхностной области GaAs. Результаты электрофизических измерений барьеров Шоттки, полученных на обработанной в селене поверхности GaAs, указывают на снижение плотности поверхностных электронных состояний (ПЭС) и открепление уровня Ферми. При этом происходит генерация дефектов в приповерхностной области, вызывающих компенсацию мелких доноров и характерное для некоторых структур ''перезакрепление'' уровня Ферми. Доп.точки доступа: Безрядин, Н. Н.; Котов, Г. И.; Власов, Ю. Н.; Стародубцев, А. А.; Bhatmager, Р. К.; Mathur, Р. С. |