Дюбуа, А. Б. Схема-модель межподзонных электрон-электронных взаимодействий в сильнолегированном гетеропереходе Al[2]Ga[1-x]As (Si) /GaAs [Текст] / А. Б. Дюбуа // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. 45-51. - Библиогр.: c. 51 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Энергетика Электротехника в целом Кл.слова (ненормированные): 2D-электроны -- межподзонные электрон-электронные взаимодействия -- сильнолегированный гетеропереход -- электрон-электронные релаксационные процессы Аннотация: Сообщаются результаты исследований электрон-электронных релаксационных процессов в системе сильно вырожденных 2D-электронов с тонкой структурой энергетического спектра и пространственного распределения электронной плотности. Для сильнолегированного гетероперехода, когда оказываются заполненными две подзоны размерного квантования, найдены выражения для времени электрон-электронного внутри- и межподзонного взаимодействия, определены матричные элементы полного потенциала экранирования и диэлектрической функции в приближении, далеком от длинноволнового предела. Показано, что осцилляции температурной и концентрационной зависимости времени электрон-электронного взаимодействия связаны с возбуждением плазменных колебаний компонентов 2D-электронной системы. |