Исследование пленок YSZ, нанесенных методом электронно-лучевого напыления на никелевый сплав с совершенной кубической текстурой [Текст] / В. М. Счастливцев [и др. ] // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 106, N 6. - С. 610-616. - Библиогр.: с. 616 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3230 Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): электронно-лучевое напыление -- никелевые сплавы -- совершенная кубическая структура -- шероховатость -- буферные слои -- YSZ Аннотация: Методами рентгеноструктурного анализа и атомной силовой микроскопии исследовано влияние состояния подложки - ленты никелевого сплава Ni -11 ат. % Cr и параметров напыления на текстуру и шероховатость поверхности буферного слоя YSZ, нанесенного методом электронно-лучевого напыления. Доп.точки доступа: Счастливцев, В. М.; Архипова, Н. К.; Блинов, И. В.; Гервасьева, И. В.; Логинов, Б. А.; Матвеев, С. А.; Попов, В. В.; Родионов, Д. П.; Сазонова, В. А. |
Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) [Текст] / Е. А. Емельянов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 3. - С. 68-72 : рис. - Библиогр.: c. 72 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): буферные слои -- квантовая яма -- кристаллическое совершенство -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- подложечный материал -- полярные полупроводники -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены квантовые ямы (КЯ) InGaAs/GaAs на искусственной подложке GaAs/Si, отклоненной от плоскости (001) на 6° в направлении. Проведена оптимизация технологии выращивания искусственных подложек GaAs/Si. Критериями оптимизации были выбраны кристаллическое совершенство эпитаксиальных пленок и морфология их поверхности. Выращены искусственные подложки с разной кристаллографической ориентацией буферного слоя GaAs относительно направления отклонения поверхности Si. Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) и рентгеновской дифрактометрии исследовано влияние способа зарождения и режимов роста слоев GaAs/Si на их кристаллическое совершенство. Морфология поверхности эпитаксиальных слоев исследовалась методом ДБЭО (in situ) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) (ex situ). Обнаружено, что оптимальными по кристаллическому совершенству и морфологии поверхности являются переходные слои, полученные с использованием буферного слоя 250 нм GaAs/ 2. 7 нм GaP (001) /Si. Данный слой использован для выращивания КЯ и объёмных слоёв. Получены данные спектра фотолюминесценции при 5 и 77 К для данных структур. Доп.точки доступа: Емельянов, Е. А.; Коханенко, А. П.; Пчеляков, О. П.; Абрамкин, Д. С.; Василенко, А. П.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Преображенский, В. В.; Феклин, Д. Ф. |