Библиотека АГГПУ

Головна

Спрощенний режим

Опис

Бази даних

Каталог статей- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Труды преподавателей

Каталог периодических изданий

Каталог редких книг

Каталог статей

IPRbooks периодика

IPRbooks книги

Межвузовская электронная библиотека

ФЭРУ

Зона пошуку

у знайденому

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>S=Физика полупроводников и диэлектриков<.>

Загальна кількість знайдених документів : 32
Показані документи с 1 за 20

1-20 21-32

Рехвиашвили, С. Ш.
О размерных свойствах электронного газа [Текст] / С. Ш. Рехвиашвили // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 105, N 5. - С. 453-458. - Библиогр.: с. 458 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3230

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
энергия Ферми -- Ферми энергия -- электронный газ -- квантово-статистическая модель -- электропроводность

Знайти схожі

Чернышов, В. Н.
Анализ условий в гетероструктурах [Текст] / В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. 39-44. - Библиогр.: c. 44 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
гетерограницы -- гетероструктуры -- граничные условия в гетероструктурах -- метод матрицы рассеяния
Анотація: Получены общие соотношения, которым должны удовлетворять матроицы рассеяния, матрицы сшивания для коэффициентов, матрицы переноса и матрицы сшивания для огибающих в системах с гетерограницами. Показано, что найденные соотношения для данных матриц с хорошей точностью выполняются при использовании предложенных моделей для гетероструктуры GaAs/AlAs (001).

Знайти схожі

Москаль, Д. С.
Анализ рельефа поверхности GaAs, сформированного воздействием дифракционно-модулированного лазерного излучения [Текст] / Д. С. Москаль, В. А. Надточий, Н. Н. Голоденко // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 11. - С. 86-89. - Библиогр.: c. 89 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Физика
Кл.слова (ненормовані):
кристаллы -- дифракционно-модулированные лазерные излучения -- дифракционные маски -- кластерообразование -- точечные дефекты
Анотація: Исследован рельеф поверхности GaAs, облученной лазером через дифракционные маски разного профиля. Плотность падающей энергии луча не превышала порогового значения. Под действием дифракционно-модулированного лазерного излучения в поверхностном слое кристалла формируются кластеры из точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов в периодическом поле термоупругих напряжений.

Дод.точки доступу:
Надточий, В. А.; Голоденко, Н. Н.
Знайти схожі

Алферов, Жорес Иванович.
Когда наука станет востребованной [Текст] / Ж. И. Алферов ; беседовала Н. Шапова // Техника-молодежи. - 2009. - N 6. - С. 2-7 . - ISSN 0320-331X

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
полупроводники -- гетероструктуры -- подготовка специалистов -- будущее науки -- интервью
Анотація: Он создал новое научное направление - Физика полупроводниковых гетероструктур. Разработал принципиально новый способ управления электронными и световыми потоками в полупроводниковых гетероструктурах и создал новые приборы на их основе - от лазеров до солнечных батарей. Ж. И. Алферов активно работает в Комитете по науке и образованию Госдумы РФ.

Дод.точки доступу:
Шапова, Н. \.\
Знайти схожі

Тимохин, В. М.
Исследование туннельного эффекта и диэлектрических параметров в кристаллах -LiIO[3] [Текст] / В. М. Тимохин // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 2. - С. 39-42. - Библиогр.: c. 42 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

ББК 22.37 + 22.379
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
диэлектрическая проницаемость -- лазерные монокристаллы иодата лития -- протонная проводимость -- релаксатор -- туннельный эффект -- фактор диэлектрических потерь
Анотація: Исследованы температурно-частотные спектры альфа-LiIO [3] лазерных монокристалловиодата лития в диапазоне температур 77-450 К и частот 5-10 {8] Гц. Анализ этих спектров и диаграмм Коула-Коула показал наличие туннелирования носителей заряда и существование нескольких видов релаксаторов. Определен диапазон температур существования туннельного эффекта.

Знайти схожі

Тимохин, В. М.
Механизм диэлектрической релаксации и протонная проводимость в наноструктуре альфа-LilО[3] [Текст] / В. М. Тимохин // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 3. - С. 46-50. - Библиогр.: с. 50 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

ББК 22.331 + 22.37 + 22.379
Рубрики: Физика
   Электростатика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
диэлектрическая проницаемость -- наноструктуры -- протонная проводимость -- релаксатор -- туннельный эффект -- фактор диэлектрических потерь -- энергия активации
Анотація: Исследовались термостимулированные токи деполяризации, в результате анализа которых разработан механизм диэлектрической релаксации в кристаллах альфа -LilО[3], имеющего расстояние между узлами решетки порядка 0, 55 нм. Этот механизм обусловлен образованием дефектов H[3]0{+} и 0H{-} в результате смещения протона вдоль валентной связи в молекулах воды и последующей его миграции посредством туннелирования как внутри ионов IO[3], так и между этими ионами в соседних слоях. Кроме того, поставщиками протонов являются протонодонорные примеси НlО[3] и Нl[3]О[8]. Дано объяснение появления отрицательного максимума термостимулированных токов деполяризации, обусловленного <ложными> петлями гистерезиса, связанными с отставанием проводимости.

Знайти схожі

Альшиц, В. И.
Обобщение приближения Леонтовича для электромагнитных полей на границе диэлектрик-металл [Текст] / В. И. Альшиц, В. Н. Любимов // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 8. - С. 865-872 : 2 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 871 (8 назв. ) . - ISSN 0042-1294

ДРНТІ

29.19.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
электромагнитные поля -- диэлектрик-металл -- приближения Леонтовича -- Леонтовича приближения -- диэлектрическая проницаемость -- поляритоны -- импедансное приближение
Анотація: Приближенное условие Леонтовича для электромагнитных полей на границе диэлектрик-металл, справедливое при малом поверхностном импедансе металла, обобщено для случая произвольных значений импеданса, что позволяет расширить диапазон применимости импедансного подхода.

Дод.точки доступу:
Любимов, В. Н.
Знайти схожі

Оценка возможности определения электрофизических характеристик Cd[x]Hg[1-x]Te р{+} -п-структур методом дифференциальных холловских измерений [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 3-8. - Библиогр.: c. (назв. ) . - ISSN 0021-3411

ББК 22.3с + 22.379
Рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
CdxHg1-xTe -- имплантация ионов -- матричные фотоприемники -- электрофизические характеристики -- эпитаксиальные пленки
Анотація: В работе проведено численное моделирование процесса восстановления профиля распределения концентрации дырок в р{+}-п-структуре методом дифференциальных холловских измерений после имплантации ионов As{+} (Е = 190 кэВ, D = З 10{14}см{2}, j = 0, 025 мкА/см{2}) в эпитаксиальные пленки Cd[x]Hg[1-x]Te для х ~ 0, 2, с исходной концентрацией и подвижностью электронов n = 10{14}см{-3} и мю = 2 10{5} см{2} B{-1} c{-1}. Рассчитаны зависимости степени восстановления профиля распределения концентрации дырок от толщины шунтирующего п-слоя и величины магнитного поля, при котором производится измерение электрофизических параметров р{+} -n-структуры. Определена зависимость от толщины n-слоя предельного магнитного поля, определяющего диапазон магнитных полей для измерений. Показано, что при определении профиля распределения концентрации дырок по модели Петрица в расчетах необходимо использовать значения проводимости, измеренные при тех же магнитных полях, что и коэффициент Холла.

Дод.точки доступу:
Войцеховский, А. В.; Васильев, В. В.; Григорьев, Д. В.; Романов, И. В.
Знайти схожі

Время жизни носителей заряда в высокохромном GaAs, легированном диффузией хрома [Текст] / Д. Л. Будницкий [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 5. - С. 84-88. - Библиогр.: с. 87-88 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

ББК 31.232 + 22.379
Рубрики: Проводниковые материалы и изделия
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Физика
   Энергетика
Кл.слова (ненормовані):
арсенид галлия -- диффузия хрома -- носители заряда -- полупроводники -- приемники ионизирующего излучения -- фотопроводимость монокристаллов -- фотоэлектрические свойства материалов
Анотація: Использование высокоомного (ВО) GaAs для формирования прием ников ионизирующих излучений стимулирует исследования его физических свойств. Изучение фотоэлектрических свойств позволяет установить механизмы рекомбинации носителей заряда и особенности их транспорта в электрических полях, оценить времена жизни. В работе представлены результаты исследований Фотопроводимости и фотоэффекта Холла в высокоомном GaAs, легированном диффузией хрома. Установлено, что типичная люкс-амперная характеристика (ЛАХ) состоит из сверхлинейного и сублинейного участков. Изучено изменение холловской подвижности при освещении. Сделан ряд упрощений и оценены времена жизни электронов (тау n) и дырок (тау p) для высокого и низкого уровней возбуждения. Установлено, что тау p > тау n. Показано, что фотоэлектрические свойства ВО GaAs: Cr могут быть объяснены с помощью модели "искривленных" зон. Высказано предположение о трансформации потенциальных барьеров при фотовозбуждении.

Дод.точки доступу:
Будницкий, Д. Л.; Новиков, В. А.; Толбанов, О. П.; Прудаев, Д. А.
Знайти схожі

10.

Филиппов, В. В.
Распределение потенциала при зондовых измерениях в анизотропных полупроводниковых пленках [Текст] / В. В. Филиппов // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 1. - С. 51-57 . - ISSN 0021-3411

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
анизотропия -- анизотропные пластины -- полупроводниковые пленки -- распределение электрического тока -- электропроводность анизотропных пленок
Анотація: Выполнено исследование распределения электрического тока в случае зондовых измерений на анизотропных пластинах. Объяснение явлений, вызванных анизотропией проводимости, выполнено с помощью законов электродинамики, что позволяет считать полученные результаты с физической точки зрения общими, не зависящими от природы анизотропии электропроводности. Предложены методики определений компонент тензора удельной электропроводности анизотропных пленок.

Знайти схожі

11.

О едином физическом и модельном представлении магниточувствительных свойств биполярных транзисторных структур [Текст] / М. А. Глауберман [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 1. - С. 58-66 . - ISSN 0021-3411

ББК 22.379 + 32.852
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
   Физика
   Полупроводниковые приборы
   Радиоэлектроника
Кл.слова (ненормовані):
биполярные полупроводниковые транзисторные структуры -- магнитная чувствительность -- магниточувствительные свойства -- полупроводники -- транзисторы
Анотація: Анализируются основные физические механизмы работы биполярных полупроводниковых транзисторных структур (БМС). Показано, что вертикальные магниточувствительные структуры подлежат исключению из класса БМС, а горизонтальные с точки зрения модельных представлений составляют единый класс независимо от направления магнитной оси. Механизмы чувствительности БМС, в которых определяющим параметром является подвижность носителей, допускают единое по форме модельное представление и поэтому могут рассматриваться как единый механизм перераспределения. Магниточувствительность БМС при определении ее эффективностью преобразования достаточно корректно описывается одномерным уравнением непрерывности, причем независимо от конкретных граничных условий.

Дод.точки доступу:
Глауберман, М. А.; Егоров, В. В.; Канищева, Н. А.; Козел, В. В.
Знайти схожі

12.

Тиходеев, С. Г.
Плазмон-поляритонные эффекты в наноструктурированных металл-диэлектрических фотонных кристаллах и метаматериалах [Текст] / С. Г. Тиходеев, Н. А. Гиппиус // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 9. - С. 1003-1007 : 3 рис. - Библиогр.: с. 1007 (48 назв. ) . - ISSN 0042-1294

ДРНТІ

29.19.33

29.18.22

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
научные сессии -- наноплазмоника -- метаматериалы -- плазмон-поляритонные эффекты -- металл-диэлектрические кристаллы -- фотонные кристаллы -- оптические свойства -- электромагнитная энергия
Анотація: Краткое введение в наноплазмонику, оптические свойства плазмон-поляритонных фотонных кристаллов и метаматериалов. Подробно проанализирован вопрос об определении эффективного электромагнитного отклика тонких слоев метаматериалов произвольной симметрии, включая гиротропные.

Дод.точки доступу:
Гиппиус, Н. А.
Знайти схожі

13.

Любутин, И. С.
Современные достижения в исследовании фазовых превращений в оксидах 3d-металлов при высоких и сверхвысоких давлениях [Текст] / И. С. Любутин, А. Г. Гаврилюк // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 10. - С. 1047-1078 : 21 рис. - Библиогр.: с. 1076-1078 (179 назв. ) . - ISSN 0042-1294

ДРНТІ

29.19.33

ББК 22.373 + 22.379
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
магнитные системы -- диэлектрики -- фазовые переходы -- переходы диэлектрик-металл -- сверхвысокие давления -- кристаллические структуры -- спиновые состояния -- электронные состояния
Анотація: В магнитных системах с сильными электронными корреляциями теория предсказывает индуцированный давлением фазовый переход диэлектрик-металл, который сопровождается коллапсом локализованного магнитного момента и структурным фазовым переходом.

Дод.точки доступу:
Гаврилюк, А. Г.
Знайти схожі

14.

Сибатов, Р. Т.
Дробно-дифференциальный подход к описанию дисперсионного переноса в полупроводниках [Текст] / Р. Т. Сибатов, В. В. Учайкин // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 10. - С. 1079-1104 : 15 рис. - Библиогр.: с. 1103-1104 (91 назв. ) . - ISSN 0042-1294

ДРНТІ

29.19.31

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
дробно-дифференциальные подходы -- полупроводники -- дисперсионные переносы -- автомодельность -- кинетические уравнения
Анотація: Излагается новый подход к описанию дисперсионного переноса в неупорядоченных полупроводниках, основанный на уравнениях с производными дробного порядка. Установлена связь автомодельности дисперсионного переноса, устойчивых предельных распределений и кинетических уравнений с дробными производными.

Дод.точки доступу:
Учайкин, В. В.
Знайти схожі

15.

Кюрегян, А. С.
Эволюция электронно-дырочных лавин и стримеров в непрямозонных полупроводниках [Текст] / А. С. Кюрегян // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 5. - С. 962-983. - Библиогр.: с. 982-983 . - ISSN 0044-4510

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
полупроводники -- стримеры -- эволюция -- электронно-дырочные лавины -- непрямозонные полупроводники -- численное моделирование эволюции
Анотація: Проведено численное моделирование зарождения и эволюции стримеров в полупроводниках.

Знайти схожі

16.

Волков, А. Г.
Неравновесные фазовые переходы в ферромагнитных полупроводниках [Текст] : (на примере EUO 1-дельта) / А. Г. Волков, А. А. Повзнер, А. Н. Черепанова // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 9. - С. 86-91. - Библиогр.: c. 91 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411

ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Физика
Кл.слова (ненормовані):
кинетический фазовый переход металл - полупроводник -- спиновые флуктуации. -- ферромагнитный полупроводник -- физика конденсированного состояния
Анотація: Исследуются особенности кинетического фазового превращения металл - полупроводник в ферромагнитных полупроводниках. Показано, что выделение тепла, вследствие протекания тока, обусловливает возникновение положительной обратной связи между температурой образца, его намагниченностью, амплитудой термических спиновых флуктуаций и плотностью тока в нем. Джоулевый нагрев образца ведет к исчезновению намагниченности и, как следствие, восстановлению энергетической щели между валентной зоной и зоной проводимости. Однако ширина возникшей запрещенной зоны продолжает изменяться благодаря росту флуктуаций внутренних обменных полей, расщепляющих электронные состояния. В рамках развитой модели получена S-образная вольт-амперная характеристика для ферромагнитного полупроводника EuO1-дельта, нижняя ветвь которой соответствует ферромагнитному металлическому состоянию ("холодная" фаза), а верхняя ветвь связана с полупроводниковым парамагнитным состоянием ("горячая" фаза).

Дод.точки доступу:
Повзнер, А. А.; Черепанова, А. Н.
Знайти схожі

17.

Кусраев, Ю. Г.
Спиновые явления в полупроводниках: физика и приложения [Текст] / Ю. Г. Кусраев // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 7. - С. 759-773 : 12 рис. - Библиогр.: с. 772-773 (96 назв. ) . - ISSN 0042-1294

ДРНТІ

29.19.31

29.31.26

ББК 22.379 + 22.344
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Спектроскопия
Кл.слова (ненормовані):
полупроводники -- спектроскопия -- ферромагнитные полупроводники -- эффект Холла -- Холла эффект -- спиновые явления -- спинтроника -- сессии
Анотація: К настоящему времени открыто много новых интересных спин-зависимых эффектов в полупроводниках и гибридных структурах с магнетиками и на их основе предложено большое количество устройств. Разработаны методы генерации, управления и детектирования спина - на них основывается работа будущих устройств спинтроники.

Знайти схожі

18.

Тарасенко, С. А.
Спиновые фототоки в полупроводниках [Текст] / С. А. Тарасенко // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 7. - С. 773-777 : 2 рис. - Библиогр.: с. 776-777 (25 назв. ) . - ISSN 0042-1294

ДРНТІ

29.19.31

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
полупроводники -- спиновые фототоки -- электроны -- квазичастицы -- спинтроника -- эффект Холла -- Холла эффект -- электромагнитные заряды -- магнитные поля -- сессии
Анотація: Возможность эффективного управления спиновыми состояниями электронов, дырок и других квазичастиц в низкоразмерных структурах является ключевой проблемой полупроводниковой спинтроники. Благодаря спин-орбитальному взаимодействию спиновое состояние квазичастицы можно изменять, воздействуя на ее орбитальное движение.

Знайти схожі

19.

Аверкиев, Н. С.
Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках [Текст] / Н. С. Аверкиев // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 7. - С. 777-780 : 3 рис. - Библиогр.: с. 780 (12 назв. ) . - ISSN 0042-1294

ДРНТІ

29.19.31

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
эффект Рашбы -- Рашбы эффект -- эффект Дрессельхауза -- Дрессельхауза эффект -- полупроводники -- спинтроника -- спин-орбитальное взаимодействие -- электроны -- электрические поля -- сессии
Анотація: В статье рассмотрены особенности анизотропии спиновой релаксации для электронов в низкоразмерных полупроводниках. Показано, что анизотропия возникает вследствие как естественных причин, так и взаимного действия эффектов Рашбы и Дрессельхауза.

Знайти схожі

20.

Перевалов, Т. В.
Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью [Текст] / Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 6. - С. 587-603 : 20 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 602-603 (100 назв. ) . - ISSN 0042-1294

ДРНТІ

29.19.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
диэлектрики -- электронная структура -- диэлектрическая проницаемость -- электронная плотность
Анотація: Представлен обзор основных применений диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах. Проанализированы результаты первопринципных расчетов электронной структуры для трех наиболее важных и перспективных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью.

Дод.точки доступу:
Гриценко, В. А.
Знайти схожі

1-20 21-32

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)